Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
16 Марта 2017, 17:44:18
Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем — В книге на основе современных физических представлений рассмотрены вопросы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Значительное внимание уделено влиянию различных технологических факторов и условий применения на надежность. Подробно рассмотрены дефекты, возникающие в исходных материалах, и механизмы отказов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Изложены методы обеспечения их надежной работы в различной радиоэлектронной аппаратуре. Книга рассчитана на инженерно-технических работников, занимающихся производством полупроводниковых приборов и интегральных микросхем и их применением. Она будет полезна студентам старших курсов соответствующих специальностей.
Название: Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем Автор: Чернышев А. А. Издательство: Радио и связь Год: 1988 Страниц: 256 Формат: DJVU Размер: 7,83 Мб Качество: Отличное
Содержание:
Предисловие Список сокращений Список условных обозначений физических величин Введение Глава 1. ОСНОВЫ ТЕОРИИ НАДЕЖНОСТИ 1.1. Термины и определения в области надежности 1.2. Показатели надежности 1.3. Математическое представление показателей надежности 1.4. Некоторые законы распределения случайных величин, используемые в теории надежности Глава 2. ВИДЫ ВНЕШНИХ ВОЗДЕЙСТВИИ и ИХ КЛАССИФИКАЦИЯ 2.1. Основные этапы жизненного цикла приборов и их связь с внешними факторами 2.2. Факторы внешних воздействий 2.3. Факторы, связанные с научно-техническим и обслуживающим персоналом 2.4. Конструктивно-технологические факторы Глава 3. МЕХАНИЧЕСКИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ 3.1. Общая характеристика механических воздействий на полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы в составе аппаратуры 3.2. Реакция конструктивных элементов приборов на механические нагрузки 3.3. Влияние вибрационных воздействий. Резонансные характеристики 3.4. Ударные воздействия и их характеристики 3.5. Механические модели конструктивных элементов приборов и резонансные характеристики Глава 4. КЛИМАТИЧЕСКИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ И АГРЕССИВНЫЕ СРЕДЫ 4.1. Общая характеристика климатических факторов и климатических зон 4.2. Воздействие пониженных и повышенных температур 4.3. Воздействие влажности 4.4. Воздействие биологической среды и пылевых взвесей в атмосфере 4.5. Воздействие пониженного и повышенного давления Глава 5. РАДИАЦИОННЫЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ 5.1. Общая характеристика различных видов радиации 5.2. Воздействие проникающей радиации на электрофизические параметры исходных материалов 5.3. Воздействие излучения на параметры полупроводниковых приборов и интегральных микросхем Глава 6 ВОЗДЕЙСТВИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ФАКТОРОВ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ И ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ 6.1. Общая характеристика технологического процесса изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем 6.2. Обработка исходного полупроводникового материала 6.3. Получение и обработка полупроводниковых пластин 6.4. Очистка поверхности пластин от загрязнений 6.5. Эпитаксиальное наращивание монокристаллических слоев 6.6. Защитные и маскирующие окисные слои на кремнии 6.7. Фотолитография 6.8. Дефекты в приборах, возникающие при формировании активных областей (диффузия, имплантация) 6.9. Металлизация и контакты 6.10. Разделение пластин на кристаллы 6.11. Сборка приборов и герметизация Глава 7. ВОЗДЕЙСТВИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ И ЭКСПЛУАТАЦИОННЫХ ФАКТОРОВ ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ И ИСПОЛЬЗОВАНИИ АППАРАТУРЫ 7.1. Входной контроль полупроводниковых приборов и интегральных микросхем при изготовлении аппаратуры 7.2. Подготовка полупроводниковых приборов и интегральных микросхем к монтажу в аппаратуре и особенности монтажа 7.3. Расположение полупроводниковых приборов и интегральных микро схем в блоках аппаратуры 7.4. Воздействие статического электричества на полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы в процессе изготовления, монтажа и эксплуатации в аппаратуре 7.5. Воздействие тепловых и электрических режимов на приборы в составе аппаратуры Глава 8. ВИДЫ И МЕХАНИЗМЫ ОТКАЗОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ 8.1. Классификация отказов 8.2. Понятие механизма отказов 8.3. Механизмы отказов металлизации в результате электромиграции 8.4. Механизмы коррозии и окисления металлизации 8.5. Механизмы отказов контактов 8.6. Некоторые механизмы отказов в межэлементных соединениях на основе поликремния 8.7. Механизмы отказов планарных структур 8.8. Механизм пробоя в тонком окисле и эффект горячих носителей 8.9. Механизмы отказов в результате действия ударных и вибрационных нагрузок 8.10. Некоторые механизмы отказов при радиационных воздействиях Глава 9. ВИДЫ ИСПЫТАНИИ И СИСТЕМА ИСПЫТАНИИ НА НАДЕЖНОСТЬ 9.1. Основные принципы контроля качества приборов 9.2. Классификация испытаний 9.3. Планирование испытаний на надежность. Оперативная характеристика 9.4. Неразрушающие испытания 9.5. Контроль качества полупроводниковых приборов и интегральных микросхем по шумовым характеристикам 9.6. Контроль полупроводниковых структур по рекомбинационному излучению 9.7. Контроль тепловых параметров с использованием переходных тепловых характеристик 9.8. Ускоренные испытания 9.9. Применение жидких кристаллов для контроля приборов Глава 10. ПРОГНОЗИРОВАНИЕ НАДЕЖНОСТИ ПРИБОРОВ И ДИАГНОСТИКА 10.1. Понятие о методе распознавания образов 10.2. Прогнозирование надежности по виду вольт-амперных характеристик 10.3. Прогнозирование надежности по m-характеристикам 10.4. Диагностика интегральных микросхем с помощью тестовых структур Глава 11. ОРГАНИЗАЦИОННЫЕ ОСОБЕННОСТИ ОБЕСПЕЧЕНИЯ НАДЕЖНОЙ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ В АППАРАТУРЕ 11.1. Основные принципы обеспечения надежной работы полупроводниковых приборов и интегральных микросхем в аппаратуре 11.2. Система обеспечения надежной работы полупроводниковых приборов и интегральных микросхем в аппаратуре 11.3. Организация сбора данных по надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем 11.4. Организация анализа отказов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем 11.5. Контроль правильности применения полупроводниковых приборов и интегральных микросхем в аппаратуре 11.6. Некоторые аспекты организации контроля параметров полупроводниковых приборов и интегральных микросхем 11.7. Пути повышения отказоустойчивости интегральных микросхем Заключение Список литературы
